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tekhne產(chǎn)品在半導(dǎo)體制造上的運用
半導(dǎo)體是半導(dǎo)體集成電路的簡稱。它是一種物質(zhì),同時具有導(dǎo)電良好的“導(dǎo)體"和導(dǎo)電性能不佳的“絕緣體"的特性。
此外,有時將使用半導(dǎo)體的晶體管(控制電流的元件)和二極管等電子元件構(gòu)成的電路稱為 IC(Integrated Circuit)。如果把導(dǎo)體想象成鐵等金屬,絕緣體是橡膠,可能會更容易理解。
如上所述,半導(dǎo)體具有介于導(dǎo)電的“導(dǎo)體"物質(zhì)和不導(dǎo)電的“絕緣體"物質(zhì)之間的性質(zhì)。所謂“導(dǎo)體"、“絕緣體"和“半導(dǎo)體"的區(qū)別,用專業(yè)術(shù)語來說就是“禁帶(bandgap)"能量寬度的區(qū)別。電子所占據(jù)的最高能帶“(價帶)"與低能帶“(導(dǎo)帶)"底部之間的能帶稱為禁帶,價帶和導(dǎo)帶是電子所處的能帶。不存在的稱為禁帶。金屬系統(tǒng)是一個沒有禁帶的例子。許多金屬很容易導(dǎo)電,即電子很容易移動。相反,陶瓷、橡膠和玻璃是具有大禁帶的材料的例子。由于電子不能移動,所以有許多被稱為絕緣體的東西不允許電流流動。
另一方面,在半導(dǎo)體中,如果禁帶比金屬的禁帶寬但比絕緣體的禁帶小,則通過向電子施加熱和電壓等能量,電流就會流動。因此,通過有意地將雜質(zhì)混入半導(dǎo)體本身,可以改變電子和(原子)空位的流動并控制電性能。半導(dǎo)體根據(jù)添加的雜質(zhì)分為n型和p型。
n型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體周期表中Ⅳ族元素(硅、鍺Ge等)中微量的Ⅴ族(磷P、砷As、銻Sb等)(僅由添加硅Si)元素。當(dāng)加入V族時,V族價電子中的一個多余電子可以自由移動(自由電子)。自由電子帶有負(fù)電荷,當(dāng)它們移動以降低電阻并施加能量時,它們會被吸引到正極,從而使電流流動并顯示出半導(dǎo)體的特性。
p型半導(dǎo)體:在元素周期表中IV族元素(硅、鍺Ge等)中加入少量III族元素(硼B(yǎng)、銦In等)的本征半導(dǎo)體。當(dāng)少量的Ⅲ族加到Ⅳ族中時,少了一個電子,所缺少的空穴稱為空穴。當(dāng)在此狀態(tài)下施加電壓時,附近的電子會移動到該空穴。此外,電子的這種運動會在別處產(chǎn)生空穴。隨著這種重復(fù),電子似乎穩(wěn)定地向負(fù)極移動。因此,當(dāng)施加能量時,它會被吸引到+極并有電流流動,并表現(xiàn)出作為半導(dǎo)體的特性。
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體的結(jié)具有使電流僅在一個方向流動的功能。在結(jié)處,n型半導(dǎo)體中的自由電子與p型半導(dǎo)體中的空穴相互吸引,結(jié)合并消失在結(jié)面上。換句話說,電子不再存在于結(jié)面上,導(dǎo)致與絕緣體相同的狀態(tài)。電子不再存在的層稱為耗盡層。在這種絕緣體狀態(tài)下,如果將 n 型半導(dǎo)體側(cè)連接到負(fù)極,將 p 型半導(dǎo)體側(cè)連接到正極并施加電壓,電子就會從 n 型流向 p 型。
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