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芯片制造中薄膜厚度怎么測(cè)量?
在半導(dǎo)體制造業(yè)中,薄膜的厚度對(duì)器件的性能和質(zhì)量有重要影響。在制造過(guò)程中,晶圓要進(jìn)行多次各種材質(zhì)的薄膜沉積,因此薄膜的厚度及其性質(zhì)(如折射率和消光系數(shù))需要準(zhǔn)確地確定,以確保每一道工藝均滿足設(shè)計(jì)規(guī)定。光學(xué)薄膜測(cè)量設(shè)備的光譜測(cè)量方式主要分為橢圓偏振和垂直反射兩種。在橢圓偏振方式下,光源發(fā)出的光經(jīng)由起偏器、光學(xué)聚焦系統(tǒng),以一定的角度入射圓片,經(jīng)過(guò)表面膜層和硅襯底反射的光學(xué)系統(tǒng)和起偏器,由光譜儀接受。通過(guò)對(duì)膜厚和薄膜光學(xué)常數(shù)等變量進(jìn)行回歸迭代逼近,使計(jì)算光譜和實(shí)測(cè)光譜吻合,最終所得到的迭代值即為所測(cè)薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)。
垂直反射式測(cè)量得到的只是圓片表面的垂直反射光譜,不包含偏振光的位相變化的信息,且必須通過(guò)與事先在標(biāo)準(zhǔn)裸圓片上測(cè)得的反射光譜對(duì)比才能得到樣品的垂直反射率。垂直反射式測(cè)量相比橢圓偏振式測(cè)量,靈敏度要更低,主要用于較厚薄膜和單層膜的厚度測(cè)量。
模型 | TOF-4R05 |
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測(cè)量方法 | 接觸式/線性規(guī)/夾緊方式 |
測(cè)量目標(biāo) | 薄膜、片材 |
測(cè)量原理 | 線性規(guī)/夾緊法 |
輕松快速的離線厚度測(cè)量
測(cè)量數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)顯示在屏幕上
測(cè)量數(shù)據(jù)還可以自動(dòng)保存到您的計(jì)算機(jī)中。
由于測(cè)量是自動(dòng)進(jìn)行的,因此測(cè)量數(shù)據(jù)不存在個(gè)體差異。
雷達(dá)圖也可用于調(diào)整吹塑薄膜。
由于采用夾層法進(jìn)行測(cè)量,因此即使是有卷曲等的厚紙也可以測(cè)量。
測(cè)量厚度 | 0.03~3mm |
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測(cè)量長(zhǎng)度 | 10~10000mm |
測(cè)量間距 | 1毫米~ |
最小顯示值 | 0.5微米 |
測(cè)量壓力 | 0.6±0.1N |
電源電壓 | AC100~240V 50/60Hz |
工作溫度限制 | 5~40℃ |
濕度 | 35-80%(無(wú)冷凝) |
能量消耗 | 50 VA(不包括電腦) |
選項(xiàng) | ?卷紙打印機(jī)輸出功能 ?0.1mm間距測(cè)量功能 ?連續(xù)測(cè)量功能 ?各專用探頭 ?圖像轉(zhuǎn)印功能 ?壓紙機(jī)構(gòu) ?輸送速度顯示 |